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J-GLOBAL ID：200903028638743008
直流磁束量子干渉計の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991332209
Publication number (International publication number)：1993167113
Application date： Dec. 16, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、2つの同一の物性値を有するパターンを容易に形成することのできる直描パターニング方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、基板表面に超伝導薄膜を形成し、この超伝導薄膜上に、レーザビームまたは電子ビームを2つ以上に分割して、導き、直描パターニングにより同時に2つ以上の括れ部を有する超伝導薄膜パターンを形成するようにしている。望ましくは、これらの超伝導薄膜パターンの両端電圧をモニタしながら直描パターニングを行う。さらにまた、超伝導薄膜の形成とその直描パターニングとを真空を破ることなく同一チャンバー内で順次行う。
Claim (excerpt)：
基板表面に超伝導薄膜を形成する超伝導薄膜形成工程と、前記超伝導薄膜上に、レーザビームまたは電子ビームを2つ以上に分割して、導き、直描パターニングにより同時に2つ以上の同一の括れ部を形成し弱接合型ジョセフソン接合を有する超伝導薄膜パターンを形成する直描工程と、2つの前記超伝導薄膜パターンを並列接続するように配線を形成する配線工程とを含むことを特徴とする直流磁束量子干渉計の製造方法。
IPC (3)：
H01L 39/22 ZAA
, G01R 33/035 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
