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J-GLOBAL ID：200903028649670916

圧電体薄膜素子およびその製造方法、ならびにこれを用いたインクジェット記録ヘッド及びインクジェットプリンタ

Inventor：
角 浩二

About 角 浩二


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001329769
Publication number (International publication number)：2003133604
Application date： Oct. 26, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】 圧電体薄膜の結晶状態を適切に制御して、特性に優れた圧電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下部電極42と、該下部電極42上に設けられた圧電体薄膜43と、該圧電体薄膜43上に設けられた上部電極44と、を備える圧電体薄膜素子100であって、前記圧電体薄膜43は、格子定数のa軸とc軸の長さの比(c/a)が1.000以上、1.0005以下であり菱面体晶系の結晶構造を有するPZT結晶に、周期表のIIA族元素の少なくとも一種類が添加されて構成される。
Claim (excerpt)：
下部電極と、該下部電極上に設けられた圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に設けられた上部電極と、を備える圧電体薄膜素子であって、前記圧電体薄膜は、格子定数のa軸とc軸の長さの比(c/a)が1.000以上、1.0005以下であり菱面体晶系の結晶構造を有するPZT結晶に、周期表のIIA族元素の少なくとも一種類が添加されている圧電体薄膜素子。
IPC (8)：
H01L 41/08 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  C04B 35/49 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22
FI (7)：
C04B 35/49 A ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 Z ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H
F-Term (16)：
2C057AF65 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP32 ,  2C057AP35 ,  2C057AP51 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AP54 ,  2C057AQ02 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10 ,  4G031CA08 ,  4G031GA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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