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J-GLOBAL ID：200903028658639630

光電変換装置及びその製造方法

Inventor： 横沢 雄二 ,  布居 徹
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991268027
Publication number (International publication number)：1993110122
Application date： Oct. 17, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 太陽電池をはじめ大型化した光電変換装置を、薄型化した半導体基板を使用しても、該基板の変形や特性低下等がなく、又、低コストの裏面電極の構造である。【構成】 p型シリコン単結晶基板10の受光面側にn+層1を形成し、次に、基板10全面にシリコン酸化膜2の形成と、受光面側の反射防止膜3と表面電極4を作製する。続いて基板10裏面に、アルミペーストをドット状に多数互に分離させて印刷した上燒成してp+領域6と裏面電極5を作製し、該電極5をアルミシート7で接続する。以上で作製した電極5は互に分離しているので、基板10と熱膨張係数の差があっても、作製したセル12が、該熱膨張係数の差によって変形することはなくなる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の受光面となる表面側に第2導電型の半導体層が形成された光電変換装置において、上記半導体基板の裏面電極を、板状の金属電極に略均等に分布し、かつ互いに分離して形成された複数の小突起の先端部で上記半導体基板の裏面に接続されるように構成して成ることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/283

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭51-113480
  
• 特開昭63-119274