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J-GLOBAL ID：200903028665618835

半導体量子箱の製造方法

Inventor： 今泉 充
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Agent (1)： 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991041029
Publication number (International publication number)：1993062896
Application date： Feb. 12, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 充分な量子効果が得られる半導体量子箱を簡単に製造できるようにする。【構成】 バンドギャップおよび格子定数が共に異なる2種類の半導体GaAsおよびGaAs0.5 P0.5 のうち、バンドギャップが大きいGaAs0.5 P0.5 を結晶成長させて第1半導体障壁結晶層18を形成した後、バンドギャップが小さいGaAsを格子不整合により島状に3次元成長させて半導体箱結晶20を形成し、その後、上記GaAs0.5 P0.5 を再び結晶成長させて第2半導体障壁結晶層22を形成することにより、半導体箱結晶20を3次元的に包み込んだ半導体量子箱を作製する。

Claim (excerpt)：

量子効果が表れる程度に小さい大きさの半導体箱結晶を該半導体箱結晶よりもバンドギャップが大きい半導体障壁結晶により3次元的に包み込んだ半導体量子箱の製造方法であって、バンドギャップおよび格子定数が共に異なる2種類の半導体のうちバンドギャップが大きい方を結晶成長させて第1半導体障壁結晶層を形成する工程と、該第1半導体障壁結晶層の上に、前記2種類の半導体のうちバンドギャップが小さい方を前記半導体箱結晶として島状に3次元成長させる工程と、該半導体箱結晶が島状に形成された前記第1半導体障壁結晶層の上に、該半導体箱結晶が埋没するように前記2種類の半導体のうちバンドギャップが大きい方を再び結晶成長させて第2半導体障壁結晶層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体量子箱の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭51-133085
  
• 特開昭61-086241