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J-GLOBAL ID：200903028673370044

ポリイミド多層配線基板の製造方法

Inventor： 金原 広治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991301430
Publication number (International publication number)：1993206643
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】ポリイミド多層配線基板を従来の逐次積層方式より短い製造時間で、かつ、高い製造保留まりで形成する製造方法において、配線ブロック間の高品質な電気接続を得る。【構成】ポリイミド多層配線層が複数の配線層の積層構造をひとつのブロックとする,このブロックの複数個の積層構造である。この各ブロック間の電気的接続を各ブロックの表面に形成された多層メッキの半田プールと、すくなくとも半田プールを構成するひとつ以上の金属を有する金属バンプの鑞着で行う。【効果】鑞着によりバンプ金属が半田プールに融解し、半田の融点が上昇することにより、後工程で再び半田プールの半田が融解して接続部分が分離することを防止する。

Claim (excerpt)：

複数の配線層を有するブロックの複数個を積層し前記ブロックの一つに設けた半田プールおよび前記ブロックの他のものに設けた金属バンプを鑞着してブロック間の電気的接続を行うポリイミド多層配線基板の製造方法において、前記半田プールは各層が半田を構成する金属のいずれかの単体金属からなり異る金属の層を交互に重ねた多層メッキであり、前記金属バンプは前記半田プールお接する部分が前記半田プールを構成する金属のうちの一つ以上のものであることを特徴とするポリイミド多層配線基板の製造方法。