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J-GLOBAL ID：200903028677950754

光磁気記録素子

Inventor： 石井 義伸 ,  干田 浩文
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992293178
Publication number (International publication number)：1993266522
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光磁気記録素子の光磁気記録層等の腐食を防止し、且つビットエラーレートの増加を防止すること。【構成】 透明基板1上に、少なくとも光磁気記録層2、金属反射層5、非晶質保護層6を順次積層した光磁気記録素子において、非晶質保護層6を、アルミニウムと酸素と半金属半導体元素の非晶質化合物で構成し、且つその組成を、AlOxMy,0.7 <x≦1.2 ,0.05≦y≦0.30(ここに、Alはアルミニウム元素を、Oは酸素元素を、Mは半金属半導体元素を表す)、とし、非晶質保護層6に樹脂保護層7を積層したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

透明基板上に、少なくとも光磁気記録層、金属反射層、非晶質保護層を順次積層した光磁気記録素子において、前記非晶質保護層を、アルミニウムと酸素と半金属半導体元素の非晶質化合物で構成し、且つその組成を、AlOxMy0.7 <x≦1.20.05≦y≦0.30(ここに、Alはアルミニウム元素を、Oは酸素元素を、Mは半金属半導体元素を表す)とし、該非晶質保護層上に樹脂保護層を積層したことを特徴とする光磁気記録素子。