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J-GLOBAL ID：200903028682631209

磁気抵抗効果素子

Inventor： 前田 篤志 ,  久米 実 ,  田沼 俊雄
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995062771
Publication number (International publication number)：1995312449
Application date： Mar. 22, 1995
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 磁気抵抗変化率が大きくかつ動作磁界強度が小さい積層構造からなる磁気抵抗効果膜を有した磁気抵抗効果素子を得る。【構成】 基板1と、基板1上に実質的に互いに平行になるように設けられる複数の細線部2とを備え、細線部2が、強磁性層2aと非磁性導電性層2bとを交互に積層した構造を有し、非磁性導電性層2bを介して積層された強磁性層2a間に反強磁性結合が形成されている磁気抵抗効果素子。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に実質的に互いに平行になるように設けられる複数の細線部とを備え、前記細線部が強磁性層と非磁性導電性層とを交互に積層した構造を有し、前記非磁性導電性層を介して積層された前記強磁性層間に反強磁性結合が形成されている磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08