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J-GLOBAL ID：200903028686244048
ランディングパッドを有する半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996027104
Publication number (International publication number)：1996330542
Application date： Feb. 14, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：
【要約】【課題】 多段階の蝕刻を利用して高い横縦比を有するコンタクトホールにトロフィー形のランディングパッドを形成する方法を提供する。【解決手段】 ストレージノード用のランディングパッドを相異なる蝕刻方法を利用した多段階の蝕刻工程によって形成し、ビットライン用のランディングパッドとは異なる段差で別の写真蝕刻工程を通して形成することにより、ランディングパッドの間のストリンガやブリッジ現象を防止しうる。さらに、多段階の蝕刻に因したトロフィー形のランディングパッドを具備することにより充分のアラインメントマージンの確保は勿論、横縦比を低くしてGbit級DRAMの製作に非常に有用に適用しうる。
Claim (excerpt)：
高集積半導体装置の製造方法において、トランジスター及びビットラインとの接触のためのビットライン用のランディングパッドが形成されている半導体基板の全面に前記トランジスターのゲートと前記ランディングパッドが充分に被覆されうるほどの厚さを有する第1層間絶縁膜を形成する段階と、ストレージ電極を前記トランジスターのソース/ドレイン領域に接触させるためのストレージ電極用のランディングパッドを形成するために前記第1層間絶縁膜を多段階の蝕刻工程を通してトロフィー形を有するコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールに第1導電物質を埋込んでトロフィー形のストレージ電極用のランディングパッドを形成する段階と、前記ビットライン用のランディングパッドとの接触のためのビットラインを形成する段階と、前記ストレージ電極用のランディングパッドとの接触のためのストレージ電極を形成する段階を含むことを特徴とするトロフィー形のランディングパッドを有する半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 621 Z
