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J-GLOBAL ID:200903028704020330
磁気抵抗効果膜
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大場 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995221472
Publication number (International publication number):1997069209
Application date: Aug. 30, 1995
Publication date: Mar. 11, 1997
Summary:
【要約】【目的】 従来より高感度な磁気抵抗効果膜を得る。【構成】 膜厚が薄くても大きな交換結合磁界を発生させるように、磁化を固定するための反強磁性層と磁化が固定された強磁性層の結晶粒径が15nm以下で、反強磁性層の膜厚が3〜10nmであるスピンバルブ磁気抵抗効果膜。
Claim (excerpt):
反強磁性層によって磁化方向が固定された強磁性層と、非磁性層によって分離された磁化方向の固定されない強磁性層の組合せから成る多層膜において、前記反強磁性層によって磁化方向が固定された前記強磁性層は15nm以下の結晶粒径から成ることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
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