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J-GLOBAL ID：200903028744066694

プラズマエッチング方法

Inventor： 小藤 直行 ,  辻本 和典 ,  新井 眞 ,  水谷 巽
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994175090
Publication number (International publication number)：1996045903
Application date： Jul. 27, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】プラズマエッチングにおけるパーティクルの発生や経時変化を防止する。【構成】バイアス電力と放電電力の両方をオン/オフ変調させ、かつ両方が同時にオンしないようにさせる。【効果】処理室壁面へのエッチング反応生成物の吸着・堆積がなくなるため、クリーンで再現性のよいエッチングが行える。

Claim (excerpt)：

処理室内への放電電力の投入と被エッチング試料へのバイアス電力の投入を間欠的に行い、かつ、前記放電電力と前記バイアス電力を同時に投入しないことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00