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J-GLOBAL ID：200903028749362844
単一電子制御磁気抵抗素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996259858
Publication number (International publication number)：1998107337
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 微細化・高集積化でより高性能となる素子構造・動作モードを有する磁性単一電子制御磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 第1の方向の磁化を有する2つの第1の強磁性体と、前記2つの第1の強磁性体にトンネル接合を介して挟持され、ある初期方向の第2の方向の磁化を有する第2の強磁性体と、前記第2の強磁性体の磁化の方向を、前記第2の方向とは別方向に向ける磁化手段とを具備することを特徴とする単一電子制御磁気抵抗素子である。
Claim (excerpt)：
第1の方向の磁化を有する2つの第1の強磁性体と、前記2つの第1の強磁性体にトンネル接合を介して挟持され、ある初期方向の第2の方向の磁化を有する第2の強磁性体と、前記第2の強磁性体の磁化の方向を、前記第2の方向とは別方向に向ける磁化手段とを具備することを特徴とする単一電子制御磁気抵抗素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
