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J-GLOBAL ID：200903028761373185

位相シフトマスクおよびその製造方法

Inventor： 田中 眞一郎 ,  坂本 正一
Applicant, Patent owner： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992298348
Publication number (International publication number)：1994148864
Application date： Nov. 09, 1992
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【構成】 位相シフトマスクにおいて、それほど転写マージンが要求されない周辺回路パターン部分のシフター膜は除去し、微細パターン部分のみシフター膜3を設ける。【効果】 周辺回路について、プロセス要因のサイジングを露光データ上で均一に処理を行うことにより、高精度で微細パターンが容易に形成でき、かつそれを用いて転写することで微細パターンの形成に有利になる。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上にパターンが形成された遮光性金属薄膜、及びこの遮光性金属薄膜を通過した光の位相を反転させるシフター膜を設けた位相シフトマスクにおいて、前記シフター膜は微細パターン部のみに設けたことを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W