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J-GLOBAL ID：200903028761419606
有機EL素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997362856
Publication number (International publication number)：1999176571
Application date： Dec. 12, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：
【要約】【課題】 封止不良を改善することで、外気や水分等の影響を極力排除し、経時劣化が少なく、初期性能を長期間維持できる長寿命の有機EL素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の有機EL素子の製造方法は、有機EL構造体が積層された基板上に、封止用接着剤を介して封止板を配置し、710〜250mmHgの圧力下で、前記封止板を前記基板に加圧接着する有機EL素子の製造方法。
Claim (excerpt)：
有機EL構造体が積層された基板上に、封止用接着剤を介して封止板を配置し、710〜250mmHgの圧力の雰囲気中で、前記封止板を前記基板に加圧接着する有機EL素子の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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