光半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994070155
Publication number (International publication number)：1995202327
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】波長変化時に短波長側に偏移した発振波長が初期波長を横切って長波長側に偏移してしまうことを解消した、応答速度の速い波長可変半導体レーザを提供すること。【構成】 n型クラッド層(基板10及びバッファ層11)とp型クラッド層15との間に、発光に寄与する活性層13と注入キャリアを蓄積するキャリア蓄積層14とが積層されたDFB型の波長可変半導体レーザにおいて、キャリア蓄積層14を活性層13に対しp型クラッド層15側に設け、キャリア蓄積層14の厚さD,幅W及び長さLを、注入電流に対するプラズマ効果による波長偏移の大きさが注入電流に対する熱効果による波長偏移の大きさよりも大きくなるように設定したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

異なる導電型の2つのクラッド層の間に、発光に寄与する活性層と注入キャリアを蓄積するキャリア蓄積層とが積層されており、前記キャリア蓄積層の厚さを注入電流に対するプラズマ効果による波長偏移の大きさが注入電流に対する熱効果による波長偏移の大きさよりも大きくなるように設定してなることを特徴とする光半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

波長可変半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-212959 Applicant：日本電気株式会社
波長可変光デバイス及びそれを用いた光通信システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-292768 Applicant：キヤノン株式会社
光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-154041 Applicant：日本電気株式会社

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