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J-GLOBAL ID：200903028768884991

プラズマプロセス装置及び方法

Inventor： 池上 英雄 ,  相田 宏之 ,  安藤 正夫 ,  近川 直人
Applicant, Patent owner： 株式会社テクノバ
Agent (1)： 田下 明人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995039044
Publication number (International publication number)：1996209353
Application date： Feb. 03, 1995
Publication date： Aug. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 大気圧下でプラズマを安定して発生し、ガスを活性化させて基体上に薄膜を形成させ得るプラズマプロセス装置及び方法を提供する。【構成】 増幅器28が、モノバイブレータMの二次側で共振を生ぜしめる周波数の電流を一次側に流すため、二次側に高電位が発生し、該二次側に接続された電極10に常圧下で単極のプラズマ放電を生ぜしめる。この電極10のプラズマ放電によって、ガス供給装置20から供給されたガスを活性化し、噴出口12aから基体10に照射して薄膜の形成を行う。

Claim (excerpt)：

活性化させたガスを基体に接触させることによって基体表面に薄膜を形成するプラズマプロセス装置において、ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段から供給されたガスを活性化する電極と、前記電極にて活性化されたガスを基体に照射させる照射手段と、一次側に少ない数の巻線が巻回され、二次側に多くの数の巻線が巻回され、二次側の一端がフローティング或いは一次側のどちらか一方の端子に接続され他端が前記電極に接続されたトランスと、トランスの二次側で共振を生ぜしめる周波数の電流を一次側に流し、トランスの二次側に接続された前記電極に単極放電を生ぜしめる高電位を発生させる電力供給手段と、から構成されることを特徴とするプラズマプロセス装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04