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J-GLOBAL ID：200903028771271461

カーボンナノチューブの溶液処理ドーピング方法、半導体装置および半導体装置の形成方法

Inventor： ジア・チェン ,  アリ・アフザリ-アルダカニ ,  クリスチャン・クリンケ ,  ポール・エム・ソロモン ,  フェドン・アヴォリス
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005055790
Publication number (International publication number)：2006240898
Application date： Mar. 01, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：

【課題】 カーボンナノチューブの溶液処理ドーピング方法、半導体装置、および半導体装置の形成方法を提供すること。【解決手段】 カーボンナノチューブをドーピングする方法を提供する。本発明の方法は、溶液相で一電子酸化剤に対してカーボンナノチューブを曝露する工程を含む。本発明の方法は、また、カーボンナノチューブFETデバイスを形成する方法および半導体装置を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブにドーピングする方法であって、前記方法は、溶液中で一電子酸化剤に前記カーボンナノチューブを曝露する工程を含む、方法。

IPC (5)：

C01B 31/02 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (5)：

C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/28

F-Term (35)：

4G146AA11 ,  4G146AD30 ,  4G146CB12 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ15 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ナノストラクチャの電気誘発性破壊のためのシステムおよび方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-554893   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Optical absorption spectroscopy of single-wall carbon nanotubes doped with a TCNQ derivative