位相シフトフォトマスクの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：韮澤弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992034587
Publication number (International publication number)：1993232678
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】位相シフトパターンドライエッチング時のエッチング残渣の発生を防止した位相シフトフォトマスクの製造方法。【構成】図(h)のような位相シフター26下置きタイプの位相シフトフォトマスクを製造する際、位相シフターパターン26をドライエッチングによって形成する前に、位相シフターパターン用透明層26の表面に付着したクロム等のエッチング障害物を緩衝フッ酸による表面エッチング、不活性ガスを用いたプラズマによる表面エッチング等により取り除き(図(k))、ドライエッチング時でのエッチング残渣の発生を防ぎ、マスク面内での透過率を一定にし、ウェーハ上に転写されたパターンの劣化を防止する。

Claim (excerpt)：

所定領域間に位相差を与える位相シフターパターンをドライエッチングによって形成する位相シフトフォトマスクの製造方法において、少なくとも、ドライエッチング前に位相シフターパターン用透明層の表面に付着したエッチング障害物を表面処理により取り除く工程と、その後にドライエッチングにより該透明層を所定パターンにエッチングする工程とを有することを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 301 W , H01L 21/30 311 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-078747
特開平3-078747
特開昭60-029747

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