不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996115910
Publication number (International publication number)：1997306187
Application date： May. 10, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】フラッシュメモリセルに使用される消去回路の構成を簡略化すると共に、フラッシュメモリセルにおける閾値のバラツキを防止でき、且つ、過消去による影響をも防止できる不揮発性半導体記憶装置を提供することである。【解決手段】フラッシュメモリセルのゲートに接続されるワード線を駆動する行駆動部とセルとの間に介在するトランジスタのPN接合における順方向電圧より低い負電圧を発生する負電圧発生回路を行駆動部に接続し、この負電圧によりセル内容を消去する。また、非選択セルに対して、閾値のバラツキ範囲より低い電圧を印加することにより、過消去による影響を除去できると共に、良品率を向上させることもできる。

Claim (excerpt)：

Nチャンネルのトランジスタと、Pチャンネルトランジスタとによって構成され、アドレスデコード信号に応じたレベル信号を出力するアドレス駆動部と、コントロールゲートを備え、該コントロールゲートに所定の電圧を印加することによって記憶内容を消去するメモリセルを含む不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルにデータを書き込む際に、前記アドレス駆動部の出力電圧より高い電圧をアドレス駆動部の出力に代えて、選択セルのコントロールゲートに印加する手段と、前記Nチャンネルトランジスタのソース及びドレインのうちの一方の電極に、前記記憶内容を消去する際、負電圧を印加し、当該負電圧を前記Nチャンネルトランジスタを介して、前記メモリセルのコントロールゲートに与える負電圧発生回路を備え、これによって、前記メモリセルの記憶内容を消去することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

G11C 17/00 530 B , G11C 17/00 309 K , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-026697
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-186439 Applicant：株式会社東芝
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-324975 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Return to Previous Page