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J-GLOBAL ID：200903028780249134
不揮発性半導体記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992208677
Publication number (International publication number)：1994061498
Application date： Aug. 05, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】浮遊ゲート電極、及び塗布焼成法により形成した絶縁膜とを有する不揮発性半導体記憶装置のデータ保持(浮遊ゲート中の電荷保持)に対する信頼性を向上させること。【構成】浮遊ゲート電極9、及び制御ゲート電極8を形成した後、第1の層間絶縁膜(20)、及び第1の金属配線12を形成する。その後窒化膜系の膜、例えば酸窒化シリコン膜118を形成する。ついで第2の層間絶縁膜(13)を形成した後、SOG膜14を形成する。その後ドライエッチングによりSOG膜をエッチバックした後、第3の層間絶縁膜を形成する。次に第2の金属配線3及びカバー膜を形成する。【効果】浮遊ゲート電極とSOG膜との間に窒化膜系の膜を形成することで、SOG膜中の水分などが浮遊ゲート電極中の電荷に影響を与えることを防ぐことができるので、信頼性が向上する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一表面をゲート絶縁膜を介して選択的に被覆する浮遊ゲート電極を有するMOSトランジスタからなる記憶素子と、前記記憶素子上に設けられた少なくとも一つの塗布焼成法による絶縁膜とを有し、前記記憶素子と前記絶縁膜との間に窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜が設けられていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
