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J-GLOBAL ID：200903028796601431
多層膜の結晶成長のその場観察方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
長尾 常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271193
Publication number (International publication number)：1994097253
Application date： Sep. 15, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ヘテロエピタキシャル成長の観測に適用でき、また使用する光の波長の制限を受けず、更に観測時に成長素過程に影響を及ぼさないようにしたその場観察方法を実現すること。【構成】 成長結晶薄膜表面からその下層のヘテロ界面にまで進入できるエネルギーのレーザ光を入射し、上記成長結晶薄膜表面での反射光と上記ヘテロ界面での反射光の干渉光の強度(反射率)を検出する。
Claim (excerpt)：
2種類以上の物質からなる多層結晶膜の成長過程の結晶薄膜表面にプローブ光を入射させて、その反射光から成長結晶薄膜表面を観察する方法であって、上記プローブ光として上記成長結晶薄膜表面からその下層のヘテロ界面にまで進入できるエネルギーの光を使用し、上記成長結晶薄膜表面での反射光と上記ヘテロ界面での反射光の干渉光の強度を検出することを特徴とするその場観察方法。
IPC (3)：
H01L 21/66
, G01B 11/06
, G01N 21/41
