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J-GLOBAL ID：200903028801053251

アクティブマトリクス基板の製造方法

Inventor： 藤沢 里志
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992220382
Publication number (International publication number)：1994067202
Application date： Aug. 19, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】透明絶縁基板上に溝を形成し、その溝の中にデバイスを作り、平坦性を良くする構造において、その溝の作り方としてスチーム酸化して溝を形成することにより、液晶の配向を均一にすることを目的とする。【構成】透明絶縁基板をウェットエッチングして溝をつくるというこれまでの方法では、膜質の変化等により同じ時間エッチングしても深さは一定にならない。このためTFT特性は安定しない。そこで本発明では、スチーム酸化して溝形成することを特徴とする。【効果】スチーム酸化により溝を形成するため、深さが一定でありこの中に作り込んだTFTデバイスの特性は安定する。

Claim (excerpt)：

基板上に予め溝部を形成し、この溝部内に薄膜トランジスタデバイスを形成してなるアクティブマトリクス基板の製造方法において、前記溝部の形成方法として、絶縁膜よりなる基板表面に、非晶質又は多結晶シリコンを成膜する工程、シリコン膜を酸化して絶縁性段差を形成する工程よりなることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-021663
  
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-249680   Applicant：シヤープ株式会社