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J-GLOBAL ID:200903028806699710

水素透過性膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 奥山 尚男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997148952
Publication number (International publication number):1998337455
Application date: Jun. 06, 1997
Publication date: Dec. 22, 1998
Summary:
【要約】【課題】 Pd系水素透過膜の製造において、多孔質体表面へのPd〜Ag(パラジウム〜銀)電気めっき法が適用されると、めっきの進行中に被めっき体の表面で活性状態の水素が発生するため、めっき膜内に残留して組織の内部歪発生の原因となって、めっき膜のクラック(亀裂)発生からその破壊に至り、水素透過性膜の性能及び寿命を阻害するようなことがあり、めっき法による水素透過性膜製造上の大きな課題である。【解決手段】 めっき液中に化学的、電気的に不活性な平均粒子径が100nm以下の微細粒子を、1〜100g/リットルの濃度で分散、浮遊させて電気めっきを行う。
Claim (excerpt):
Pd単体またはPd系合金の膜で構成される水素透過性膜を基体上にめっきする方法において、めっき液中に平均粒径100nm以下の微粒子を分散させて基体をめっきすることを特徴とする水素透過性膜の製造方法。
IPC (2):
B01D 71/02 500 ,  C01B 3/50
FI (2):
B01D 71/02 500 ,  C01B 3/50

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