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J-GLOBAL ID：200903028811661802

レジストパターンの形成方法及びこれを用いた金属パターンの形成方法

Inventor： 千葉 秀貴 ,  大久保 純一 ,  内藤 真紀子 ,  塩田 淳
Applicant, Patent owner： 日本合成ゴム株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994188877
Publication number (International publication number)：1996031733
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 蒸着バンプ形成用に好適なフォトレジストパターンとこれを利用したリフトオフプロセスを提供する。【構成】 下層にはアルカリ可溶性の高分子材料を用い、上層には(A)(a)不飽和カルボン酸と、(b)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物と、(c)他のラジカル重合性化合物、との共重合体、(B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物、(C)光重合開始剤、を含有するアルカリ現像性ネガ型フォトレジスト組成物を用いた2層レジスト層を用いてレジストパターンを形成する。さらに金属を蒸着後、残存するレジスト層をその上にある不要な金属層と共にリフトオフして金属パターンを形成する。

Claim (excerpt)：

下層にはアルカリ可溶性の高分子材料、上層には(A)(a)不飽和カルボン酸、(b)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物、及び(c)他のラジカル重合性化合物、とからなる共重合体、(B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物、及び(C)光重合開始剤、を含有するアルカリ現像性ネガ型フォトレジスト組成物を用いることを特徴とする2層レジストによるレジストパターンの形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/321

FI (3)：

H01L 21/30 561 ,  H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/92 F