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J-GLOBAL ID：200903028817641030

磁気メモリおよびその方法

Inventor： ユーゲン・チェン ,  セイド・エヌ・テラニ ,  マーク・ダーラム ,  クシアオドン・ティー・ズー
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996326133
Publication number (International publication number)：1997204770
Application date： Nov. 21, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 電力消費が少なく、特定のメモリ・セルの読み出しまたは書き込みを行うときに隣接するメモリ・セルに影響を与えず、メモリ・セル間に大きな距離を必要としない磁気メモリを提供する。【解決手段】 磁気メモリは磁性体を利用して、磁場を磁気メモリ・セル素子内に集中させる。磁性体は、磁気メモリに書き込みおよび読み出しを行うために必要な電流量を減少させる効果がある。

Claim (excerpt)：

磁気メモリ(10,25,30,35,40)の形成方法であって:磁気メモリ・セル素子(14)を覆うように導体(12)を形成する段階;および前記導体(12)が発生する磁場を、前記導体(12)の一部から遠ざけ、前記メモリ・セル素子(14)に向かって集中させ、前記磁場を前記磁気メモリ・セル素子(14)内に延在させる段階;から成ることを特徴とする方法。

IPC (2)：

G11C 11/14 ,  H01L 43/08

FI (2)：

G11C 11/14 F ,  H01L 43/08 Z