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J-GLOBAL ID：200903028827216248
集積回路磁気メモリ素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993224082
Publication number (International publication number)：1994209075
Application date： Sep. 09, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 基板上に形成された磁気メモリ素子を持つメモリ素子を提供する。【構成】 メモリ素子100は、基板上で所定パターン18に形成される第1導電層を含み、基板表面及びこのパターン上には第1絶縁層が配置される。磁化可能材料の層が絶縁層上に配置され、下側のパターン化第1導電層に対し所定の位置関係を有するパターン102に形成される。第2絶縁層が、第1絶縁層及び磁化可能材料のパターン上に配置される。絶縁層には開口が形成され、下側のパターン化第1導電層の所定の電気的接触領域が露出される。第2導電層が第2絶縁層上及び開口内へと、この電気的接触領域と接触するよう配置される46。第2導電層は、下側の磁化可能材料のパターン及び第1導電層のパターン関して所定の位置関係を有するパターン44に形成される。第1導電層のパターン18及び第2導電層のパターン44は、磁化可能材料のパターン102の周囲に配置された少なくとも2つの導電性コイル104,106,108を画定する。
Claim (excerpt)：
(a)基板上に形成された磁化可能部材と、及び(b)基板上に形成され磁化可能部材の周囲に配置された少なくとも2つの導電性コイルとを含むメモリ素子。
IPC (4)：
H01L 27/04
, G11C 11/02
, H01L 21/3205
, H01L 29/82
