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J-GLOBAL ID：200903028830456969

高電力モノリシックマイクロ波集積回路パッケージ

Inventor： 謝 宗瑩 ,  徐 錦蓮 ,  許 文瑞
Applicant, Patent owner： 誠治通訊股▲ふん▼有限公司
Agent (1)： 志賀 正武 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001382308
Publication number (International publication number)：2003086726
Application date： Dec. 14, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】 寄生容量及び寄生コンダクタンスを低減するMMICパッケージを提供することである。【解決手段】 モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)パッケージはMMICダイとヒートシンクと絶縁体基板とシール材料とを備え、ヒートシンクは活性領域に配置し、複数のボンディングパッドが周縁領域に配置し、絶縁体基板が開口と複数の出入りポートとを有し、開口がヒートシンクを含むように用いられかつ出入りポートがボンディングパッドに電気的に接続され、シール材料は、MMICダイが絶縁体基板に固定され、保護されるように、絶縁体基板とMMICダイとの間を充填してMMICダイを覆うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

活性領域と複数のボンディングパッドが配置する周縁領域とを有するMMICダイと;活性領域に配置するヒートシンクと;開口と複数の出入りポートとを有する絶縁体基板であって、開口がヒートシンクを含むように用いられかつ出入りポートがボンディングパッドに電気的に接続されている絶縁体基板と;MMICダイが絶縁体基板に固定され保護されるように、絶縁体基板とMMICダイとの間を充填されててMMICダイ全体を覆うシール材料と;を備えたモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)パッケージ。

IPC (3)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501

FI (3)：

H01L 23/12 301 C ,  H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 J