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J-GLOBAL ID：200903028833013545

リッジ導波型半導体レーザ素子

Inventor： 大久保 典雄 ,  菊田 俊夫
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991349180
Publication number (International publication number)：1993160511
Application date： Dec. 06, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光ファイバーやSHG素子と高い結合率で結合することのできるリッジ導波型半導体レーザ素子を提供する。【構成】 GaAsに格子整合し、且つInGaAsPから成るクラッド層4,8と、クラッド層4,8に挟持された活性層6とが、GaAsから成る半導体基板2上に積層されたリッジ導波型半導体レーザ素子1において、クラッド層4,8の積層方向と同方向で、且つリッジメサ13の側面にクラッド層4,8よりも屈折率の低いIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(0<x<1、0≦y<1)から成る半導体層9を設けることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

GaAsに格子整合し、且つInGaAsPから成るクラッド層と、該クラッド層に挟持された活性層とが、GaAsから成る半導体基板上に積層されたリッジ導波型半導体レーザ素子において、前記クラッド層の積層方向と同方向で、且つリッジメサの側面に前記クラッド層よりも屈折率の低いIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As<SB>y </SB>P<SB>1-y </SB>(0<x<1、0≦y<1)から成る半導体層を設けることを特徴とするリッジ導波型半導体レーザ素子。