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J-GLOBAL ID：200903028833114120

半導体基板の製造方法

Inventor： 岸井 貞浩 ,  渡辺 悟 ,  杉本 文利
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170299
Publication number (International publication number)：1993021765
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 二つのシリコンウエハを張り合わせて成る半導体基板に関し,該シリコンウエハ間の接着力の向上を目的とする。【構成】 少なくとも支持側ウエハとしては面指数(111) の主表面を有するシリコンウエハを用い,この表面に対して, 従来のNH4OH とH2O2との混合水溶液洗浄を行ったのち, HF浸漬および熱水浸漬処理を施す。この処理により, 支持側ウエハとデバイス作製側ウエハとの間の接着強度が増大する。SOI 構造の張り合わせ基板の場合には, 少なくとも支持側ウエハに上記処理を施す。低抵抗の支持側ウエハと高抵抗のデバイス作製側ウエハとを直接接合して成る張り合わせ基板の場合には, これらのうちの少なくとも一方のウエハの表面に対し, 上記HF浸漬および熱水浸漬処理を施す。表面のATR 分光スペクトルから, 上記処理により,(111)表面が原子オーダで平坦化されることが判明した。

Claim (excerpt)：

面指数(111) の主表面を有する少なくとも第1のシリコン基板の一表面に対して弗酸水溶液に浸漬する処理を施す工程と,前記弗酸水溶液処理を施された該第1のシリコン基板に対して熱水に浸漬する処理を施す工程と,前記熱水処理が施された該第1のシリコン基板を第2のシリコン基板と重ね合わせた状態で熱処理して互いに接着する工程とを含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 27/08