Pat

J-GLOBAL ID：200903028833239578

半導体放射線検出素子および整流素子

Inventor： 松山 秀昭
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995036499
Publication number (International publication number)：1996236799
Application date： Feb. 24, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】リーク電流が小さく、経時的にも安定な半導体放射線検出素子および整流素子を得る。【構成】p型の半導体基板12の一主面上にボロンをドープしたアモルファスカーボン層20を積層し、次いでAl電極11を積層する。半導体基板12の他の主面はボロンの高濃度にドープ層としてAl電極14を積層する。

Claim (excerpt)：

一伝導形の半導体基板と、この半導体基板の一表面に設けられた絶縁層と、この絶縁層上に設けられた金属電極と、前記半導体基板の他表面に設けられたオーミック電極とを有し、前記金属電極とオーミック電極を介して電圧を印加することにより、前記一表面から前記半導体基板内に形成される空乏層に入射する放射線にて、この空乏層内に生成される正孔-電子対に基づき放射線を検出する半導体放射線素子において、前記絶縁層は不純物を導入したアモルファスカーボンであることを特徴とする半導体放射線検出素子。

IPC (3)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  H01L 29/872

FI (3)：

H01L 31/00 A ,  G01T 1/24 ,  H01L 29/48 N