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J-GLOBAL ID：200903028861189772
成膜処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992057003
Publication number (International publication number)：1993217918
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウエハなどの被処理体の自然酸化膜の生成を極力抑えた状態で成膜処理を行うこと。【構成】 縦型の処理炉1の下方側におけるウエハ着脱室2に、移載ロボット31を設置した移載室3を気密に接続し、これらを第1のロードロック室として構成する。前記移載室3に第2のロードロック室4を気密に接続すると共に、この中に赤外線ランプ41を配置し、大気側において第2のロードロック室4の近傍にフッ酸蒸気を用いた洗浄装置5を設ける。予めこれらロードロック室は不活性ガス雰囲気にしておき、先ず未処理のウエハを洗浄装置5にて洗浄し、その表面の自然酸化膜を除去した後、直ちに第2のロードロック室4内に搬入し、ここで加熱処理した後移載室3を介して着脱室2に移載し、その後処理炉1内にロードする。
Claim (excerpt)：
被処理体の成膜処理領域に結合され、不活性ガス雰囲気とされる第1のロードロック室と、この第1のロードロック室に気密に結合され、不活性ガス雰囲気とされる第2のロードロック室と、この第2のロードロック室の近傍に配置され、被処理体表面の自然酸化膜を除去するための洗浄装置と、この洗浄装置で洗浄された被処理体を第2のロードロック室内に搬入させるための搬入機構と、前記第1のロードロック室内に設けられ、前記第2のロードロック室内の被処理体を前記成膜処理領域内に位置させるための移載機構とを有してなることを特徴とする成膜処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/68
