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J-GLOBAL ID：200903028870310541
アニーリング装置及び単結晶の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001269412
Publication number (International publication number)：2003081700
Application date： Sep. 05, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：
【要約】【課題】 使用時に単結晶における空孔の発生を抑制し、結晶表面にクロム原子が付着することのない高品質な単結晶のアニーリング装置及び、熱処理工程を含む単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 真空容器1と、加熱装置2と、真空容器1の上部に蓋3とを備えるアニーリング装置において真空容器1の内部にアニーリングケース5を配置し、さらにアニーリングケース5の内部に支持部材4によって保持されたフッ化カルシウム単結晶6と、フッ化物結晶7とを配置する。アニーリングを行う際に、アニーリングケース5がフッ化カルシウム単結晶6及びフッ化物結晶7を真空容器1の内部表面から遮蔽するため、真空容器1の内部表面から飛散するクロム原子からフッ化カルシウム単結晶6を保護できる。また、フッ化物結晶7から気化したフッ素をアニーリングケース5内部に閉じこめるため、フッ化カルシウム単結晶6に空孔が生ずるのを抑制できる。
Claim (excerpt)：
単結晶を収納する真空容器と、該真空容器の周囲に配置された加熱装置と、前記真空容器内部を真空化する排気系とを備え、真空容器内部に前記単結晶から脱離する元素を構成元素に有する化合物を配置して、前記単結晶に対して熱処理を行うアニーリング装置において、前記単結晶及び前記結晶が収蔵されて、密閉された空間を画成するアニーリングケースを前記真空容器の内部に備えることを特徴とするアニーリング装置。
IPC (3)：
C30B 33/02
, C30B 29/12
, F27B 5/10
C30B 33/02
, C30B 29/12
, F27B 5/10
4G077AA02
, 4G077BE02
, 4G077FE06
, 4K061AA01
, 4K061BA02
, 4K061CA08
, 4K061FA12
Cited by examiner (2)
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蛍石単結晶の熱処理装置及び熱処理方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-047225
Applicant：株式会社ニコン, 応用光研工業株式会社
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結晶処理方法および結晶並びに光学部品及び露光装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-089690
Applicant：キヤノン株式会社
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