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J-GLOBAL ID：200903028875403890

配線構造及びその製造方法

Inventor： 藤田 達也 ,  佐藤 崇 ,  迫野 郁夫
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997330074
Publication number (International publication number)：1999158609
Application date： Dec. 01, 1997
Publication date： Jun. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ITO膜上にNb膜を形成する場合に、十分な密着性を得ることが可能なNb膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ガラス基板1上に形成された膜厚1000Å程度のITO膜2上に、200ÅのNbN膜3aと4500ÅのNb膜3bのNb/NbN配線が形成されている。NbN膜中の窒素濃度が30at%以上で且つNbN膜の膜厚が200Å以上であればITO膜との密着力を実用上十分な程度に向上させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されるITO膜と、該ITO膜上に形成されるNbN膜と、該NbN膜上に形成されるNb膜を備えることを特徴とする配線構造。

IPC (6)：

C23C 14/18 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 510 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/786 ,  H05K 1/09

FI (6)：

C23C 14/18 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/136 510 ,  H05K 1/09 C ,  H01L 21/88 M ,  H01L 29/78 612 C