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J-GLOBAL ID：200903028880474119

粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜

Inventor：
中林 誠一郎

About 中林 誠一郎


Applicant, Patent owner：
埼玉大学長

About 埼玉大学長


Agent (1)： 間山 進也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000352766
Publication number (International publication number)：2002153738
Application date： Nov. 20, 2000
Publication date： May. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】 鉛直方向に磁場を作用させ、磁場の強度および方向を変えて粒子の見かけの重力および浮力を制御する方法を提供するとともに、ナノメータ域の粒子を二次元に集積させた粒子膜を製造することが可能な粒子膜の製造方法および該方法により製造される粒子膜を提供する。【解決手段】 粒子を分散させた溶媒に磁場を加え、磁場の強度および方向により溶媒における粒子位置を制御する粒子位置の制御方法を用いるとともに、粒子を分散させた溶媒を基板上に塗布し、磁場の強度および方向により溶媒の液面に対する粒子位置を制御する粒子位置の制御方法を用いて溶媒を蒸発させ、粒子を二次元に集積させることを特徴とする粒子膜の製造方法を用いる。
Claim (excerpt)：
粒子を分散させた溶媒に磁場を加え、前記磁場の強度および方向により前記溶媒における粒子位置を制御する、粒子位置の制御方法。
IPC (7)：
B01D 71/02 ,  B01J 13/00 ,  B01J 19/00 ,  C23C 20/04 ,  C23C 20/06 ,  H01F 41/16 ,  B22F 1/02
FI (7)：
B01D 71/02 ,  B01J 13/00 Z ,  B01J 19/00 K ,  C23C 20/04 ,  C23C 20/06 ,  H01F 41/16 ,  B22F 1/02 C
F-Term (62)：
4D006GA41 ,  4D006HA41 ,  4D006MA03 ,  4D006MC02X ,  4D006NA46 ,  4D006NA50 ,  4D006NA51 ,  4D006NA64 ,  4G065AA04 ,  4G065AB21X ,  4G065BA07 ,  4G065BB01 ,  4G065BB06 ,  4G065CA01 ,  4G065DA02 ,  4G065DA06 ,  4G065DA09 ,  4G065DA10 ,  4G065EA03 ,  4G065FA03 ,  4G075AA24 ,  4G075AA35 ,  4G075AA61 ,  4G075BB02 ,  4G075BB05 ,  4G075BD16 ,  4G075BD17 ,  4G075CA42 ,  4G075CA51 ,  4G075FB02 ,  4K018BA01 ,  4K018BA02 ,  4K018BA04 ,  4K018BA08 ,  4K018BA10 ,  4K018BA13 ,  4K018BA20 ,  4K018BC23 ,  4K018BC29 ,  4K018BD02 ,  4K018BD10 ,  4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA13 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA17 ,  4K022BA21 ,  4K022BA25 ,  4K022BA27 ,  4K022BA28 ,  4K022BA31 ,  4K022DA09 ,  4K022DB12 ,  4K022DB19 ,  4K022EA01 ,  4K022EA04 ,  5E049AC08 ,  5E049BA06 ,  5E049EB01 ,  5E049FC10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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