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J-GLOBAL ID：200903028896402428

光半導体装置

Inventor： 岩元 伸行 ,  岡本 季法
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007361
Publication number (International publication number)：1993198833
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 複数の受光部が狭い分離幅で配列されていても分離抵抗が高い光半導体装置を提供する。【構成】 低比抵抗のP型半導体基板1の一方の主面上に、それより比抵抗の高い(500Ωcm)P型半導体領域2と、比抵抗が半導体基板よりも高く、P型半導体領域2よりも低い(0.5Ωcm)P型半導体領域3とが積層されて形成されている。受光部のエレメントとなる複数個のN型半導体領域4が、P型半導体領域3を貫通してP型高比抵抗領域2に達するよう選択的に形成されている。P型半導体領域3上には絶縁性の反射防止膜5が設けられ、それに選択的に設けた窓を通してN型半導体領域4のそれぞれにカソード電極6が接続され、半導体基板1の他方の主面上にはアノード電極7が設けられている。N型半導体領域4間の分離幅Lを3μmとしたとき、波長λ=780nmの光に対して0.55A/Wの感度が得られた。その分離抵抗は2MΩ以上である。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、それと同じ導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域内に受光部として複数個形成された、前記半導体基板と異なる導電型の第2の半導体領域と、前記複数の第2の半導体領域間に設けられた、前記半導体基板と同一導電型の第3の半導体領域とを備え、前記第1の半導体領域は前記半導体基板よりも比抵抗が高く、前記第3の半導体領域は前記半導体基板よりも比抵抗が低く、かつ前記第2の半導体領域よりも比抵抗が高い光半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-088870
  
• 特開昭60-070778