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J-GLOBAL ID：200903028936009902

保護膜のパターニング方法

Inventor： 吉田 清輝 ,  佐々木 正洋
Applicant, Patent owner： 光技術研究開発株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991276424
Publication number (International publication number)：1993090256
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体基板が損傷しない保護膜のパターニング方法を提供する。【構成】 第1の工程においてGaAs基板10上に形成されるGaN保護膜20にInを照射してパターン部を形成し、第2の工程においてGaN保護膜20を600°C〜650°Cの温度で加熱してパターン部が形成されたGaN保護膜20を除去する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体から成る基板上に形成されるGaNから成る保護膜にGaおよびInのうち少なくとも一方を照射してパターン部を形成する第1の工程と、前記保護膜を600°C〜650°Cの温度で加熱して前記パターン部が形成された前記保護膜を除去する第2の工程とを有することを特徴とする保護膜のパターニング方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/302