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J-GLOBAL ID：200903028950167774

面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： 植木 伸明 ,  中山 秀生 ,  乙間 広己 ,  山本 将央
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996180932
Publication number (International publication number)：1998027937
Application date： Jul. 10, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光出力特性に特段の影響を与えることなく、横モードを安定させながら、偏波面を安定に維持することのできる、面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明の第1の特徴は、半導体基板1上で活性層4が上部及び下部の半導体多層反射膜2、7により挟まれ、少なくとも前記上部半導体多層反射膜7を加工してなる2組の対称面をもつ半導体柱を有し、基板と垂直方向に光を放出する面発光型半導体レーザ装置において、前記半導体柱の前記2組の対称面における電流および光閉じこめの方法が、互いに異なるように構成され、出射光に対する反射率が互いに異なるように構成したことにある。

Claim (excerpt)：

半導体基板上で活性層が上部及び下部の半導体多層反射膜により挟まれ、少なくとも前記上部半導体多層反射膜を加工してなる2組の対称面をもつ半導体柱を有し、基板と垂直方向に光を放出する面発光型半導体レーザ装置において、前記半導体柱の前記2組の対称面における電流および光閉じこめの方法が、互いに異なるように構成されていることを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。