Pat
J-GLOBAL ID:200903028958605460

基板処理チャンバのインサイチュ(in-situ)真空ライン清浄用加熱された静電粒子トラップ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000216215
Publication number (International publication number):2001104825
Application date: Jul. 17, 2000
Publication date: Apr. 17, 2001
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体処理装置の真空排出ライン内における粒子状物質及び残留物の蓄積を防止する装置及び方法の提供する。【解決手段】 入口と、出口と、その間にある流体導管とを有する容器チャンバを備え、上記の流体導管は、第1及び第2の収集セクションを備える。上記の第1の収集セクションは、第1の面に平行して整列されている複数の第1の電極を備え、上記の第2の収集セクションは、第1の面にほぼ直交する第2の面に平行して整列されている複数の第2の電極を備える。電極は電圧差動に接続して、流体導管を通して流れる粒子状物質および帯電粒子を捕捉する静電粒子コレクタを形成する。CVD堆積ステップのような基板処理操作中に、粒子が、流体導管内の電極上に収集される。
Claim (excerpt):
基板処理チャンバから排出された粒子を収集するための装置であって、入口と、出口と、その間にある流体導管とを有する容器チャンバを備え、前記流体導管は、前記出口を前記入口に流体的に結合し、第1及び第2の収集セクションを備え、前記第1の収集セクションは、第1の面に平行して整列されている複数の第1の電極を備え、前記第2の収集セクションは、ガスが前記容器チャンバを通過する第1の方向における流れの経路を画成する第1のガス通路と、前記第1の方向と異なる第2の方向における流れ経路を画成する第2のガス通路とを備える、 装置。
IPC (8):
B03C 3/40 ,  B01J 3/02 ,  B03C 3/08 ,  B03C 3/09 ,  B03C 3/14 ,  B03C 3/66 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205
FI (8):
B03C 3/40 A ,  B01J 3/02 M ,  B03C 3/08 ,  B03C 3/09 Z ,  B03C 3/66 ,  C23C 16/44 E ,  H01L 21/205 ,  B03C 3/14 Z

Return to Previous Page