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J-GLOBAL ID：200903028963798617

導体パターン形成方法

Inventor： 青山 進 ,  細野 和真
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 久保 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231687
Publication number (International publication number)：1993075237
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は薄膜磁気ヘッドのコイルの形成などに利用されるメッキ法による導体パターンの形成方法に関し、微細なパターンの形成を容易化することを目的とする。【構成】絶縁体15A上にメッキ法によって所定パターンの薄膜導体16を形成する導体パターン形成方法であって、前記絶縁体15Aを被覆するメッキ用下地導電膜31a上に、マスク部分のパターン幅w2が薄膜導体16のパターン間隔dより大きいメッキ用マスク層32を設ける工程と、メッキ用マスク層32の非マスク部分を埋めるように、メッキ膜33を設ける第1のメッキ工程と、メッキ用下地導電膜31aの内の前記メッキ用マスク層32の除去により露出した部分を除去する工程と、メッキ膜33の表面を被覆するようにメッキ膜34を設けて薄膜導体16を形成する第2のメッキ工程とを含むように構成される。

Claim (excerpt)：

絶縁体(15A)上にメッキ法によって所定パターンの薄膜導体(16)を形成する導体パターン形成方法であって、前記絶縁体(15A)を被覆するメッキ用下地導電膜(31a)上に、マスク部分のパターン幅(w2)が前記薄膜導体(16)のパターン間隔(d)より大きいメッキ用マスク層(32)を設ける工程と、前記メッキ用マスク層(32)の非マスク部分を埋めるように、メッキ膜(33)を設ける第1のメッキ工程と、前記メッキ用下地導電膜(31a)の内の前記メッキ用マスク層(32)の除去により露出した部分を除去する工程と、前記メッキ膜(33)の表面を被覆するようにメッキ膜(34)を設けて前記薄膜導体(16)を形成する第2のメッキ工程とを含むことを特徴とする導体パターン形成方法。

IPC (3)：

H05K 3/24 ,  H01F 41/04 ,  H05K 3/18