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J-GLOBAL ID：200903028966142194
MIS型トランジスタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305712
Publication number (International publication number)：1993003322
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：
【要約】【構成】 チャネル部を有する第1導伝型半導体層と、チャネル部をはさんで対向するソース部およびドレイン部を形成する第2導伝型不純物領域と、チャネル部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備えたMIS型電界効果トランジスタにおいて、チャネル部と前記ソース部とが互いに異なる半導体エネルギーギャップを有していることを特徴とする。【効果】 ソース・チャネル間で正孔の移動が円滑に行われ、良好な飽和特性と高いソース・ドレイン耐圧が得られる。
Claim (excerpt)：
第1の絶縁基板上に形成された、第1導伝型の第1種半導体材料をチャネル部とし、該チャネル部を挟んで、第2導伝型のソース・ドレイン領域と、上記チャネル部の一主表面上に第2絶縁膜を介してゲート電極を有するMIS型トランジスタにおいて、少なくとも上記ソース部が、上記第1種半導体材料と、該第1種半導体材料のエネルギーバンドギャップより小さい第2種半導体材料とからなり、かつ上記第1種半導体材料と第2種半導体材料とのヘテロ接合部が、前記ソースとチャネルとの接合部に形成される空乏層領域外で、なおかつ該空乏端から拡散長Ld以内に設けられていることを特徴とするMIS型トランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 311 X
, H01L 29/78 311 B
