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J-GLOBAL ID:200903028970041033

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992167870
Publication number (International publication number):1994013561
Application date: Jun. 25, 1992
Publication date: Jan. 21, 1994
Summary:
【要約】【構成】ラッチアップを防止したLSIの構造及び製造方法。ソースおよびドレインのバンドギャップを狭くすることで寄生バイポーラトランジスタの利得を下げ、ラッチアップを引き起こす閾値電流を高くする事によりラッチアップを防止する。バンドギャップを小さくするためにSi-Ge混晶をソース及びドレインに採用した。なおGeはイオン打ち込み法により導入し、Si-Ge混晶とする。【効果】従来プロセスを殆ど変えることなくラッチアップ耐量を上げることができる。そのため、高集積化する事ができる。
Claim (excerpt):
複数の電界効果トランジスタを半導体基板上に集積した半導体装置において、前記電界効果トランジスタのソースまたはドレインに、チャネル部のバンドギャップよりもバンドギャップが小さい半導体材料を用いたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 27/08 331 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/316

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