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J-GLOBAL ID:200903028971729381
化学蒸着(CVD)による基板上への共役置換又は共役非置換ポリ(p-フェニレンビニレン)フィルムの製造方法及びエレクトロルミネセンス(EL)装置の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1995529490
Publication number (International publication number):1997500929
Application date: May. 10, 1995
Publication date: Jan. 28, 1997
Summary:
【要約】CVD方法により、簡易なモノマーを用いて共役ポリ(p-フェニレンビニレン)の薄膜を製造する方法である。かかるポリマーは特に、エレクトロルミネセンス装置、例えば発光ダイオード中の活性層として適切に使用することができる。
Claim (excerpt):
ポリマーは次の一般式 (式中Rは、H,C1〜C5アルキル基又はアルコキシ基及びCNから成る群より選ばれ、m=1〜4、n=10〜100,000を示す)で表わされ、次の連続工程: a.次の一般式 (式中R1及びR2はハロゲン原子を示し、R及びmは上記と同様である)で表わされる少なくとも1種のモノマー化合物を、第1加熱帯中約50°C〜約250°Cの温度で蒸発させ、 b.蒸発させたモノマー化合物を、約500°C〜約900°Cの温度で第2加熱帯を通過させて移送し、これにより共役先駆体を形成し、 c.工程bの先駆体を温度500°C以下の温度で基板が設置されている第3加熱帯に移送し、これにより基板上に一般式(I)のポリマーのフィルムを形成する工程を含むことを特徴とする化学蒸着(CVD)による基板上への共役置換若しくは共役非置換ポリ(p-フェンレンビニレン)フィルムの製造方法。
IPC (4):
C08G 61/02 NLF
, C08J 5/18 CEZ
, H01L 33/00
, H05B 33/14
FI (4):
C08G 61/02 NLF
, C08J 5/18 CEZ
, H01L 33/00 A
, H05B 33/14
Patent cited by the Patent:
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