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J-GLOBAL ID：200903028977930178

薄膜磁気ヘッド

Inventor： 鳴海 俊一 ,  佐野 雅章 ,  渡辺 克朗 ,  川邊 隆 ,  中澤 まなみ ,  大津 孝佳
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996011734
Publication number (International publication number)：1997204610
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 媒体対向面における上部磁気コアの膜厚を表皮浸透深さsの2倍以上としても、高周波信号に対する磁性材内部の磁束量が減少するのを抑制できる。【解決手段】 上部磁気コア16と下部磁気コア12の一端をそれぞれ結合して磁気回路を構成し、上部磁気コア16の媒体対向面16aと下部磁気コア12の媒体対向面12a側を磁気ギャップ膜20を介して相対向して配置し、上部磁気コア16の媒体対向面16aにおけるトラック幅Tw、膜厚t、磁気記録信号の最大記録周波数fによって決定される表皮浸透深さをsをしたときに、Tw≦2s≦tの条件を満たすように、トラック幅Twと膜厚tの値を設定する。

Claim (excerpt)：

磁気記録信号に応じた磁界を発生する電気導体と、電気導体を取り囲むように形成された磁性材で構成され磁気ギャップを介在して磁気回路を形成し電気導体からの磁界に応答して磁束を発生する磁性体とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁性体の磁気記録媒体との対向面のうち磁気記録媒体のトラック幅を規制する面の幅を示すトラック幅をTw、膜厚をtとし、前記磁気記録信号の最大記録周波数fをパラメータとして前記磁性体中の磁束の状態を示す表皮浸透深さをs{sはs=√(2ρ/ωμ)、ただし、ρは磁性体の抵抗率、ω=2πf、μは磁性体の透磁率}としたときに、Tw≦2s≦tの条件を満たすように、トラック幅Twと膜厚tの値を設定してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

FI (2)：

G11B 5/31 D ,  G11B 5/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-052211
  
• 特開昭64-052211