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J-GLOBAL ID：200903028982654022
エピタキシャルウエーハ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994279515
Publication number (International publication number)：1996139033
Application date： Nov. 14, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 低抵抗品における生産性の低下や、研磨面における品質上の悪化を回避すると同時に、標準的な抵抗品に対しても適用が可能であり、しかもその生産性や製造コストを大幅に改善させることが可能な、エピタキシャルウエーハとその製造方法の提供を目的とする。【構成】 1次鏡面研磨のみを施したシリコン単結晶ウエーハ主表面の面粗さが、原子間力顕微鏡による1μm×1μm測定面積における面粗さのRMS表示で、1.2nm以下である鏡面研磨面上に、シリコンのエピタキシャル層を気相成長せしめたエピタキシャルウエーハ。
Claim (excerpt)：
1次鏡面研磨のみを施したシリコン単結晶ウエーハ主表面に、シリコンのエピタキシャル層を気相成長せしめたことを特徴とするエピタキシャルウエーハ。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 29/06 504
