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J-GLOBAL ID：200903028999916977

単結晶シリコン基板の製造方法

Inventor： 池田 直紀
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992064273
Publication number (International publication number)：1993267113
Application date： Mar. 21, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【構成】 チョクラルスキー法を用いて形成された単結晶シリコン基板の結晶方位と、フローティングゾーン法を用いて形成された単結晶シリコン基板の結晶方位とを合わせて一体化させる単結晶シリコン基板の製造方法。【効果】 CZ法に基づくIG層及びFZ法に基づくDZ層の2層より成る単結晶シリコン基板が得られるので、酸化膜の耐圧特性に優れ、良品歩留率の高い単結晶シリコン基板を製造することができる。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー(CZ)法を用いて形成された単結晶シリコン基板における結晶方位と、フローティングゾーン(FZ)法を用いて形成された単結晶シリコン基板における結晶方位とを合わせて一体化させることを特徴とする単結晶シリコン基板の製造方法。