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J-GLOBAL ID：200903029001031493

半導体ガスセンサ

Inventor： 平井 迪夫
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992324170
Publication number (International publication number)：1994174674
Application date： Dec. 03, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】薄くて軽い半導体ガスセンサを提供する。【構成】厚さ0.03mm以上0.4mm以下のアルミナ基板21の一方の面に酸化スズ薄膜22を形成し、この酸化スズ薄膜22の両端部に電極23を形成し、この電極23にリード線24を接続した。また、アルミナ基板21の他方の面に、酸化スズ薄膜22を加熱するためのニクロム抵抗体膜25を形成し、このニクロム抵抗体膜25の両端部に電極26を形成し、この電極26にリード線27を接続した。

Claim (excerpt)：

厚さ0.03mm以上0.4mm以下のアルミナ基板と、該アルミナ基板に形成された半導体金属酸化物膜とを備えたことを特徴とする半導体ガスセンサ。