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J-GLOBAL ID：200903029002463818
積層配線のドライエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994040100
Publication number (International publication number)：1995249612
Application date： Mar. 10, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 W層上にAl系金属層が形成された、マイグレーション耐性に優れた積層配線を、残渣やパーティクル汚染の発生を伴わずに異方性エッチングする。【構成】 Al系金属層5をCl系ガスでエッチング後、Al系金属層5側面に側壁窒化膜または側壁炭化膜10を形成し、この後高融点金属層4はCl系とO系の混合ガスに切り替えてパターニングする。Cl系ガスとして、塩化イオウ系ガスを用いてもよい。【効果】 W等の高融点金属層はオキシ塩化物となり、イオンモードでエッチングされるので異方性に優れる。Al系金属層パターン側面の側壁窒化膜等はClラジカルによるサイドアタックを防止する。F系ガスを用いないので、AlFx系の変質膜がフェンス状残渣となって残ることがない。Cl系ガスとして塩化イオウガスを用いると、イオウ系の側壁保護膜の併用ができるので、一層の異方性形状の向上が可能となる。
Claim (excerpt)：
高融点金属層上にAl系金属層が形成された構造を含む積層配線のドライエッチング方法において、該Al系金属層をCl系ガスを含むガスでエッチング後、該Al系金属層パターン側壁に窒化処理を施し、この後前記高融点金属層をCl系ガスとO系ガスを含む混合ガスによりエッチングすることを特徴とする、積層配線のドライエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3213
H01L 21/302 F
, H01L 21/88 D
