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J-GLOBAL ID：200903029007112932
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992048645
Publication number (International publication number)：1993251637
Application date： Mar. 05, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置、特にDRAMなどにおけるキャパシタ部の絶縁膜に関するもので、そのキャパシタ絶縁膜形成において自然酸化膜が生成されることを無くし、装置としての信頼性、寿命の向上を図ることを目的とするものである。【構成】 前記目的達成のため、本発明は前記キャパシタ絶縁膜の一つである酸化膜を窒化シリコンを熱酸化したシリコン酸化膜3、5とし(つまり自然酸化膜でなく人為的に形成した良質な酸化膜)、その酸化膜3、5と窒化シリコン膜4との3層構造(図1(a))または2層構造(図1(b)(c))としたものである。
Claim (excerpt)：
半導体装置におけるキャパシタ部のキャパシタ絶縁膜として、窒化シリコン膜の両面上に、窒化シリコンを酸化して得られるシリコン酸化膜を配設した3層構造としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 27/10 325 M
, H01L 27/10 325 C
