Pat

J-GLOBAL ID：200903029038672197

半導体ウェハの洗浄方法

Inventor： 濱中 雅司 ,  堂前 伸一
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 武田 元敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993060329
Publication number (International publication number)：1994275591
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェハの洗浄条件を設定して歩留まりよく、かつ、高い信頼性で洗浄する。【構成】 半導体ウェハにMOSダイオード、EEPROM、MNOSダイオードの少なくとも一種を作り込んだ試験片を用いて洗浄試験を行う。洗浄によりゲート電極6に注入された電荷7により、MOSダイオードのゲート酸化膜5の両面間にチャージアップ電圧が発生し、その電圧が高いとゲート酸化膜5が破壊(破壊部分8)される。そこで、半導体ウェハのチャージアップダメージを検出し、チャージアップダメージが発生しないチャージアップ低減による洗浄条件を設定する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハにMOSダイオード、EEPROM、MNOSダイオードの少なくとも一種を作り込んだ試験片を用いて洗浄試験を行い、半導体ウェハのチャージアップダメージを検出し、チャージアップダメージが発生しないチャージアップ低減による洗浄条件を設定することを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371