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J-GLOBAL ID：200903029043730588

光半導体装置

Inventor： 竹内 淳
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991277382
Publication number (International publication number)：1993121825
Application date： Oct. 24, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、光・光スイッチ、光双安定装置等の光半導体装置に関し、非線型光学効果を生じない第3層の量子井戸での光の吸収を抑え、また、光の定在波の位置を変動することによって光の変調強度を増大することを目的とする。【構成】 第1の禁制帯幅をもち励起子が存在する厚さの第1層11を、第1層の伝導帯の底よりもエネルギー的に高い伝導帯の底をもち電子がトンネルする厚さの第2層12によって挟み、その外側の少なくとも一方に、第2層の伝導帯の底よりもエネルギー的に低い伝導帯の底をもち、伝導帯中の電子の最低のエネルギー準位が、第1層に形成される電子の最低の量子準位よりエネルギー的に低い第3層13が設けられた可飽和光吸収層と、光を発生する活性層がファブリペロー共振器内に形成され、活性層から発生する光がこのファブリペロー共振器内で共振するときに、光の定在波の節が第3層に位置するように構成した。

Claim (excerpt)：

第1の禁制帯幅を有し励起子が存在しうる厚さを有する第1の物質の第1層と、第1の物質の伝導帯の底よりもエネルギー的に高い伝導帯の底をもち電子がトンネルできる厚さを有する第2の物質の第2層と、第2の物質の伝導帯の底よりもエネルギー的に低い伝導帯の底をもつ第3の物質の第3層を含み、両側面に第2層が配設された第1層の伝導帯中に電子の量子井戸が形成され、該量子井戸の外側の少なくとも一方に、伝導帯中の電子の最低のエネルギー準位が、第1層に形成される電子の最低の量子準位よりエネルギー的に低い第3層が配設された積層体からなる可飽和光吸収層と光を発生する活性層がファブリペロー共振器内に形成されてなり、該活性層から発生する光が該ファブリペロー共振器内で共振するときに、光の定在波の節が該可飽和吸収層の第3層に位置することを特徴とする光半導体装置。