ITO透明導電膜の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田宮寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996052255
Publication number (International publication number)：1997217171
Application date： Feb. 15, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】高周波マグネトロンスパッタリング法によるITO透明導電膜の作製で、トラッキングアーク等の異常放電の発生を防止し安定な成膜を行う。【解決手段】 InおよびSnの酸化物をターゲットとして用い、ターゲット背面にマグネットを設け、希ガスのみあるいは希ガスと酸素を導入した雰囲気中で、ターゲットに高周波電力を供給し、ターゲット表面近傍にプラズマを収束させ、スパッタリング現象を利用して基板上にIn、Sn、OからなるITO透明導電膜を形成する高周波マグネトロンスパッタリング法で、上記高周波電力の供給を周期的に停止して、供給期間と供給停止期間を交互に作り、かつ供給期間の時間を異常放電発生に要する時間よりも短かくした。すなわち高周波電力は間欠的に供給される。

Claim (excerpt)：

インジウムと錫の酸化物をターゲットとして用い、前記ターゲットの背面にマグネットを設置し、スパッタリングガスとして、希ガスのみあるいは希ガスと酸素を導入した雰囲気中で前記ターゲットに高周波電力を供給し、前記ターゲットの表面近傍にプラズマを収束させ、スパッタリング現象を利用して基板上にITO透明導電膜を形成した高周波マグネトロンスパッタリング法を用いたITO透明導電膜の作製方法において、前記高周波電力の供給を周期的に停止し、前記高周波電力の供給時間を異常放電発生に要する時間よりも短かくしたことを特徴とするITO透明導電膜の作製方法。

IPC (5)：

C23C 14/40 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , C23C 14/35 , H01B 13/00 503

FI (5)：

C23C 14/40 , C23C 14/08 D , C23C 14/34 M , C23C 14/35 Z , H01B 13/00 503 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-301856
特開平4-363810
透明導電薄膜の製造方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-215705 Applicant：東燃株式会社

Show all

Return to Previous Page